IRF2804PBF
Descripción
Transistor TO-220AB HEXFET Power MOSFET
Fabricante Ref
IRF2804PBF
Fabricante
INTERNATIONAL RECTIFIER
Categoría
Transistores
Estado de RoHS
Conforme a RoHS
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Marca
IR
Disipación de potencia
300 W
Tipo de montaje
Through hole
Tecnología
MOSFET
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C ~ +175°C
Voltaje drenador-fuente (VDS)
40 V
Corriente de drenaje (ID)
75 A
Resistencia en conducción drenador-fuente (RDS)
2 mΩ
Encapsulado
TO-220AB
Empaquetado
Tubo
Cantidad empaquetado de fábrica
50
INFORMACIÓN ADICIONAL
Transistor TO-220AB HEXFET Power MOSFET
DOCUMENTACIÓN
Ficha técnica
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