IRF9540NPbF
Descripción
Transistor TO-220AB HEXFET MOSFET P-Ch
Fabricante Ref
IRF9540NPbF
Fabricante
IR
Categoría
Transistores
Estado de RoHS
Conforme a RoHS
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Marca
IR
Disipación de potencia
140 W
Tipo de montaje
Through hole
Tecnología
MOSFET
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C ~ +175°C
Voltaje drenador-fuente (VDS)
100 V
Corriente de drenaje (ID)
23 A
Resistencia en conducción drenador-fuente (RDS)
0.117 Ω
Encapsulado
TO-220AB
Empaquetado
Tubo
Cantidad empaquetado de fábrica
50
MSL
1
Reach
Sí
INFORMACIÓN ADICIONAL
Transistor TO-220AB HEXFET MOSFET P-Ch
DOCUMENTACIÓN
Ficha técnica
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