IRF530NSTRLPbF
Descripción
Transistor D²PAK HEXFET Power MOSFET
Fabricante Ref
IRF530NSTRLPbF
Fabricante
INTERNATIONAL RECTF
Categoría
Transistores
Estado de RoHS
Conforme a RoHS
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Marca
IR
Tipo de montaje
Through hole
Serie
IRF530
Tecnología
MOSFET
Voltaje drenador-fuente (VDS)
100 V
Corriente de drenaje (ID)
17 A
Resistencia en conducción drenador-fuente (RDS)
90 mΩ
Encapsulado
D2PAK
Empaquetado
Cinta
MSL
1
Reach
Sí
INFORMACIÓN ADICIONAL
Transistor D²PAK HEXFET Power MOSFET
DOCUMENTACIÓN
Ficha técnica
30223-30220.pdfINFORMACIÓN DE COMPRA
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