IRFP450
Descripción
Transistor TO-247AC HEXFET Power MOSFET
Fabricante Ref
IRFP450
Fabricante
IR
Categoría
Transistores
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Marca
IR
Disipación de potencia
190 W
Tipo de montaje
Through hole
Tecnología
MOSFET
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C ~ +150°C
Voltaje drenador-fuente (Vdss)
500 V
Corriente de drenaje (ID)
14 A
Resistencia en conducción drenador-fuente (RDS)
400 mΩ
Encapsulado
TO-247AC
Empaquetado
Tubo
Cantidad empaquetado de fábrica
25
INFORMACIÓN ADICIONAL
Transistor TO-247AC HEXFET Power MOSFET
DOCUMENTACIÓN
Ficha técnica
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